RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
46
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
9.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2358
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link