RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
3157
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link