RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
74
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
8.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
1849
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Golden Empire CL11-11-11 D3-1600 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link