RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
25.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
19.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
14
46
Rund um -229% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
14
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
25.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
19.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
4182
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link