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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
46
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.9
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
6.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
6.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
1499
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CAS Latency (CL) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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