RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2326
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link