RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2631
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link