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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
46
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
3084
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
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