RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2098
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link