RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
46
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2082
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link