RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
58
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
7.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2172
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link