RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
51
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.6
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
9.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
7.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2248
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link