RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
46
Rund um -92% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2946
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link