RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
46
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
3127
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link