RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
46
Rund um -12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.2
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
8.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
5.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
1704
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link