RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
81
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.5
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
2,061.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
5.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
1651
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link