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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
46
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2191
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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