RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Team Group Inc. 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Team Group Inc. 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
46
Rund um -59% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,937.3
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,061.2
13.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
759
2873
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Team Group Inc. 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link