RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Vergleichen Sie
AMD AE34G1601U1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Gesamtnote
AMD AE34G1601U1 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD AE34G1601U1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
67
73
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
3.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
67
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.6
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
998
1724
AMD AE34G1601U1 4GB RAM-Vergleiche
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link