RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Vergleichen Sie
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2272
3463
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link