RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
14.7
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
3463
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link