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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Confronto
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
37
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
37
27
Velocità di lettura, GB/s
13.2
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2272
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
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Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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