RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Confronto
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
61
Intorno 39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
8.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
61
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2395
2025
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link