RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
38
Velocità di lettura, GB/s
12.1
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.6
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
3206
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Confronto tra le RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link