RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
38
Intorno 37% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
12.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
38
Velocità di lettura, GB/s
16.0
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
25600
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3206
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link