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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Comparar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
61
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
8.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
13.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
61
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.6
8.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2395
2025
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
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