RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
61
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
61
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
2025
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link