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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Confronto
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
58
Intorno 53% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
58
Velocità di lettura, GB/s
13.9
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2251
1998
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
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