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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Comparar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
58
Por volta de 53% menor latência
Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
58
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
9.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2251
1998
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparações de RAM
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Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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