RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Vergleichen Sie
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
14.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2272
3419
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link