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AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
29
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
19
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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2177
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