RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

29 39

Rund um 26% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 10600

Rund um 1.21% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.4 12.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.2 7.8

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2177 2386

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns