Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo
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G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 39
    Intorno 26% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.4 left arrow 12.1
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.2 left arrow 7.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 39
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.1 left arrow 14.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.8 left arrow 9.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2177 left arrow 2386
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RAM 2

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