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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
39
Por volta de 26% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21% maior largura de banda
Razões a considerar
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.4
12.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
29
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.1
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2177
2386
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparações de RAM
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB Comparações de RAM
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
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