RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
35
Rund um 46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
10.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
2155
AMD R538G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link