RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2634
3257
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link