RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
83
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2634
1752
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link