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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
83
左右 69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
14.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
83
读取速度,GB/s
14.2
14.3
写入速度,GB/s
10.0
7.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
1752
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB RAM的比较
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Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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