RAM-Vergleich Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Gesamtnote

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

18 47

Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.4 11.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

17.2 9.2

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2323 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns