RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Vergleichen Sie
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
47
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2323
2532
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link