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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
11.8
16.4
写入速度,GB/s
9.2
8.8
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
2532
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
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