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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
58
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
34
读取速度,GB/s
4,241.0
16.6
写入速度,GB/s
1,950.7
15.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3477
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
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