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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Vergleichen Sie
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
47
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.3
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2323
2361
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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