RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
65
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link