RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3583
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link