RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2865
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link