RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2865
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link