RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
16.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3823
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link