RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2910
2443
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link