RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2443
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link